TRANZYSTOR IRF640N N-Channel MOSFET 18A 200V TO220

Opis:

TRANZYSTOR IRF640N N-Channel MOSFET 18A 200V TO220

Przedstawiamy naszą ofertę tranzystora MOSFET N-MOSFET. Jest to tranzystor unipolarny, który oferuje doskonałą wydajność i niezawodność. Tranzystor ten jest idealny do zastosowań, które wymagają przewodzenia większych prądów przy wysokim napięciu.

Oto dane techniczne tranzystora:

Typ tranzystora: N-MOSFET. Tranzystor jest typu N-MOSFET, co oznacza, że posiada warstwę n-type między drenem a źródłem.
Polaryzacja: unipolarny. Tranzystor jest polaryzowany unipolarnie, co oznacza, że sterowanie bramką odbywa się tylko na jednym typie nośników.
Napięcie dren-źródło: 200V. Tranzystor jest przystosowany do pracy przy napięciu dren-źródło o maksymalnej wartości 200V, co czyni go odpowiednim dla aplikacji wymagających pracy w wyższych napięciach.
Prąd drenu: 11A. Tranzystor ma zdolność przewodzenia prądu drenu o maksymalnej wartości 11A, co czyni go idealnym rozwiązaniem dla aplikacji, które wymagają przewodzenia większych prądów.
Moc rozpraszana: 125W. Tranzystor ma zdolność rozpraszania mocy o maksymalnej wartości 125W, co pozwala na skuteczne zarządzanie energią w układach elektronicznych.
Obudowa: TO220AB. Tranzystor jest dostępny w obudowie typu TO220AB, która zapewnia łatwy montaż i skuteczne odprowadzanie ciepła.
Napięcie bramka-źródło: ±20V. Tranzystor jest zaprojektowany do pracy przy napięciu bramka-źródło o maksymalnej wartości ±20V, co umożliwia skuteczne sterowanie tranzystorem.
Rezystancja w stanie przewodzenia: 180mΩ. Tranzystor charakteryzuje się niską rezystancją w stanie przewodzenia, co przekłada się na minimalizację strat mocy.
Montaż: THT. Tranzystor jest przeznaczony do montażu przez przewlekane (Through-Hole Technology), co zapewnia łatwy i pewny montaż.
Ładunek bramki: 70nC. Tranzystor posiada ładunek bramki o wartości 70nC, co wpływa na czas przełączania i kontrolę sterowania.