STP140NF75 N-channel MOSFET 100A 75V 310W TO220 TRANZYSTOR

Opis:

STP140NF75 N-channel MOSFET 120A 75V TRANZYSTOR

Przedstawiamy naszą ofertę tranzystora MOSFET typu N-MOSFET, który został wyprodukowany przez STMicroelectronics. Nasz tranzystor jest oparty na zaawansowanej technologii STripFET™ III, co gwarantuje wysoką wydajność i niezawodność w szerokim zakresie zastosowań.

Oto dane techniczne tranzystora:

Producent: STMicroelectronics. Tranzystor został wyprodukowany przez renomowanego producenta, STMicroelectronics, który jest znany ze swojej doskonałej jakości i innowacyjnych rozwiązań w dziedzinie półprzewodników.
Typ tranzystora: N-MOSFET. Nasz tranzystor jest typu N-MOSFET, co oznacza, że posiada warstwę n-type między drenem a źródłem.
Technologia: STripFET™ III. Tranzystor został opracowany z wykorzystaniem zaawansowanej technologii STripFET™ III, która zapewnia optymalne parametry elektryczne i wydajność.
Polaryzacja: unipolarny. Tranzystor jest polaryzowany unipolarnie, co oznacza, że sterowanie bramką odbywa się tylko na jednym typie nośników.
Napięcie dren-źródło: 75V. Tranzystor jest przystosowany do pracy przy napięciu dren-źródło o maksymalnej wartości 75V, co czyni go idealnym rozwiązaniem dla aplikacji wymagających pracy w średnich napięciach.
Prąd drenu: 120A. Tranzystor ma zdolność przewodzenia prądu drenu o maksymalnej wartości 120A, co czyni go odpowiednim do zastosowań wymagających przewodzenia dużych prądów.
Moc rozpraszana: 310W. Tranzystor posiada zdolność rozpraszania mocy o maksymalnej wartości 310W, co pozwala na efektywne zarządzanie energią i minimalizację strat.
Obudowa: TO220-3. Tranzystor jest dostępny w obudowie typu TO220-3, która zapewnia skuteczne odprowadzanie ciepła i ułatwia montaż.
Napięcie bramka-źródło: ±20V. Tranzystor został zaprojektowany do pracy przy napięciu bramka-źródło o maksymalnej wartości ±20V, co umożliwia precyzyjne sterowanie tranzystorem.
Rezystancja w stanie przewodzenia: 7,5mΩ. Tranzystor charakteryzuje się niską rezystancją w stanie przewodzenia, co minimalizuje straty mocy i zapewnia efektywne przewodzenie prądu.
Montaż: THT. Tranzystor jest przeznaczony do montażu przez przewlekane (Through-Hole Technology), co zapewnia łatwy i pewny montaż.