IRF5210N P-Channel MOSFET 40A 100V TO220 TRANZYSTOR

Opis:

IRF5210N PNP MOSFET 40A 100V TO220 TRANZYSTOR

Prezentujemy naszą ofertę tranzystora MOSFET typu P-MOSFET, który został wyprodukowany przez firmę Infineon (IRF). Nasz tranzystor jest idealnym rozwiązaniem do aplikacji, które wymagają przewodzenia prądu w układach polaryzacji unipolarnej.

Oto dane techniczne tranzystora:

Producent: Infineon (IRF). Tranzystor został wyprodukowany przez renomowanego producenta, Infineon (IRF), który jest znany z wysokiej jakości swoich półprzewodnikowych produktów.
Typ tranzystora: P-MOSFET. Nasz tranzystor jest typu P-MOSFET, co oznacza, że posiada warstwę p-type między źródłem a drenem.
Polaryzacja: unipolarny. Tranzystor jest polaryzowany unipolarnie, co oznacza, że sterowanie bramką odbywa się tylko na jednym typie nośników.
Rodzaj tranzystora: HEXFET. Nasz tranzystor należy do rodziny tranzystorów HEXFET, które charakteryzują się wysoką wydajnością i niskimi stratami mocy.
Napięcie dren-źródło: 100V. Tranzystor jest przystosowany do pracy przy napięciu dren-źródło o maksymalnej wartości 100V, co czyni go odpowiednim rozwiązaniem dla aplikacji wymagających pracy przy ujemnym napięciu.
Prąd drenu: 40A. Tranzystor ma zdolność przewodzenia prądu drenu o maksymalnej wartości 40A, co czyni go idealnym do zastosowań, które wymagają przewodzenia większych prądów przy ujemnym napięciu.
Moc rozpraszana: 200W. Tranzystor posiada zdolność rozpraszania mocy o maksymalnej wartości 200W, co pozwala na efektywne zarządzanie energią i minimalizację strat.
Obudowa: TO220AB. Tranzystor jest dostępny w obudowie typu TO220AB, która zapewnia wygodny montaż i skuteczne odprowadzanie ciepła.
Napięcie bramka-źródło: 20V. Tranzystor został zaprojektowany do pracy przy napięciu bramka-źródło o maksymalnej wartości 20V, co umożliwia precyzyjne sterowanie tranzystorem.
Rezystancja w stanie przewodzenia: 60mΩ. Tranzystor charakteryzuje się niską rezystancją w stanie przewodzenia, co minimalizuje straty mocy i zapewnia efektywne przewodzenie prądu.
Rezystancja termiczna złącze-obudowa: 750mK/W. Tranzystor posiada niską rezystancję termiczną między złączem a obudową, co pozwala na efektywne odprowadzanie ciepła i utrzymanie niskiej temperatury pracy.
Montaż: THT. Tranzystor jest przeznaczony do montażu przez przewlekane (Through-Hole Technology), co zapewnia łatwy i pewny montaż.
Ładunek bramki: 120nC. Tranzystor charakteryzuje się ładowaniem bramki o maksymalnej wartości 120nC, co umożliwia precyzyjne sterowanie.